| 특허권자 |
한국기계연구원 |
출원일자 |
2012.07.11 |
| 기술명칭 |
그래핀 패턴 형성방법 및 이를 이용하는 전계효과 트랜지스터 제작방법 |
| 기술분야 |
기계 |
기술개발상태 |
TRL 4단계 |
| 지재권정보 |
(등록특허)10-1228992 |
특허명세서 |
1020120075652.pdf
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| 기술거래유형 |
권리양도 |
희망거래금액 |
무상이전 |
| 응용분유 |
트랜지스터 |
| 관련자료 |
대표도_그래핀 패턴 형성방법 및 이를 이용하는 전계효과 트랜지스터 제작방법.png
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| 기술개요 |
| 본 기술은 그래핀 패턴 형성방법 및 이를 이용하는 전계효과 트랜지스터 제작방법임. |
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| 기술특징 |
| 나노 스케일의 그래핀 패턴을 용이하게 가공-공정시의 화학반응에 의하여 그래핀의 특성이 변형되고, 그에 따라 최종 제작되는 그래핀 나노리본의 반도체 특성이 저하되는 문제를 해결. |
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| 사업성 |
| 본 기술에 따르면, 나노 스케일의 그래핀 패턴을 용이하게 가공할 수 있는 그래핀 패턴 형성방법이 제공됨. 또한, 물리적인 가공방식을 이용하여 그래핀의 반도체 특성이 저하되지 않은 상태로 나노 스케일의 패턴을 형성할 수 있음. |
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| 관련사진 |
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