기술소개

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특허권자 한국전자통신연구원 출원일자 2011.05.17
기술명칭 마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법
기술분야 NT 기술개발상태 TRL 5단계
지재권정보 (출원)10-2011-0046309 특허명세서 1020110046309_마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법.pdf
기술거래유형 협의 후 결정 희망거래금액 협의 후 결정
응용분유 조명용 광원, LED광원, 자외선 치료기 등
관련자료 13.2011-0046309_마이크로 어레이 형태의 질화물 발광 소자 및 그 제조 방법.pdf
기술개요
본 기술은 조명용 광원, 치료 및 분석을 위한 의료용 광원, 살균 및 소독을 위한 환경용 광원에
사용되는 자외선 파장을 이용하는 GaN 화합물 반도체 에피성장 기술에 관한 것임.
본 기술은 화합물 반도체 에피성장을 위하여 유기금속기상증착(MOCVD) 시스템을 이용하는 기술로서
특히 GaN 기반의 질화물계 반도체의 에피성장 기술임.
본 기술은 고품위 GaN 에피성장기술 및 380nm 자외선 파장용 LED 에피구조 설계 및 성장기술로
구성되어 있음.
기술특징
자외선 광원 응용분야의 핵심기술로서 저결함 GaN on PSS 에피기술, 380nm 자외선 LED 에피설계 및 성장기술임.
사업성
본 기술은, 투명 전극층으로 사용되는 투명 산화막 물질의 열처리에 저항 변화 특성에 따라 1차 투명 전극층을 이용하여 미세 발광 영역을 분리하고, 그 분리된 발광 영역을 2차 투명 전극층을 이용하여 연결함으로써 균일한 전류분포 특성을 갖는 효과가 있음.
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