| 특허권자 |
한국전자통신연구원 |
출원일자 |
2003.12.16 |
| 기술명칭 |
MOSFET 소자 및 그 제조방법 |
| 기술분야 |
IT |
기술개발상태 |
TRL 5단계 |
| 지재권정보 |
(등록번호)10-0590765 |
특허명세서 |
1020030091886.pdf
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| 기술거래유형 |
통상실시권 허여 |
희망거래금액 |
소액이전 |
| 응용분유 |
MOSFET, MOSFET을 사용하는 기기 |
| 관련자료 |
89 ＭＯＳＦＥＴ 소자 및 그 제조 방법.pdf
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| 기술개요 |
본 기술은 MOSFET 기술로, SOI(silicon-on-insulator) 소자를 구현하는 데 있어서 채널에서 자기가
열 현상에 의하여 발생되는 열의 분산 능력이 우수한 MOSFET을 제공하는 기술임. |
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| 기술특징 |
제어 능력 우수: SOI 기판을 사용하여 형성함으로써 고도로 스케일링된 초미세 소자를 제조하는 경우
에도 문턱치 전압 제어 능력과 성능 유지 능력이 우수하고 단채널 효과 제어 능력이 우수함.
열 분산 능력 향상: 절연막을 열전도도가 높은 절연 물질로 형성함으로써 열 분산 능력을 향상시킬 수 있음. |
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| 사업성 |
| 본 기술에 따른 MOSFET 소자는 SOI 기판을 사용하여 형성함으로써 고도로 스케일링된 초미세 소자를 제조하는 경우에도 문턱치 전압 제어 능력과 성능 유지 능력이 우수하고 단채널 효과 제어 능력이 우수함. 또한, 활성 영역 주위의 소자 분리 영역을 구성하는 절연막을 열전도도가 높은 절연 물질로 형성함으로써 소자분리 영역이 소자와 소자 사이를 전기적으로 절연시키는 역할을 하는 함과 동시에 상기 활성 영역에 형성되는 채널 내에서 자기가열 효과로 발생된 열을 기판으로 전도하여 활성 영역 내의 채널에서 발생된 열의 싱크(sink) 역할을 하게됨. 따라서, 본 기술에 따른 MOSFET 소자는 SOI 기판상에 구현된 소자에서의 열 분산 능력을 향상시킴으로써 고집적화에 따라 극소 채널을 가지는 소자를 구현한 경우에도 소자의 특성이 열화되지 않고 저전력 및 고속 동작이 가능하게됨. |
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| 관련사진 |
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