피앤아이비

특허권자

한국과학기술원

출원일자

2011.06.20

기술명칭

나노구조 패턴이 형성된 투명전극 및 그 제조방법

기술분야

기술개발상태

TRL 4단계

지재권정보

(등록번호)10-1231898

특허명세서

1020110059506_나노구조 패턴이 형성된 투명전극 및 그 제조방법.pdf

기술거래유형

협의 후 결정

희망거래금액

협의 후 결정

응용분유

디스플레이

기술개요

전도성과 광투과성의 저하 없이 액정의 배향을 정밀하게 조절할 수 있는 나노구조 패턴이 형성된 투명전극 및 그 제조방법에 관한 것임.

기술특징

물리적 이온 식각을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 전극을 형성시킴으로써 간단한 공정과 저렴한 비용으로 높은 투명도와 균일성을 가지는 전극을 제조할 수 있음.
사이즈가 큰 값싼 마스크를 이용하여 10nm대의 나노 패턴을 제작이 가능함.
종래 광 리소그래피나 나노임프린트 공정에서 10nm대의 패턴을 제작하려면 10nm대의 마스크 패턴이 필요하기 때문에 공정비용이 천문학적으로 올라가는 단점이 있음.
대면적으로 선폭이 10nm 이하인 전극 미세 패턴을 형성할 수 있어 좌표 간의 오차를 줄일 수 있으며, 터치입력에 대한 감도를 향상 시킬 수 있음.
물리적 이온 식각을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 제조됨으로써 높은 종횡비와 균일성을 가지는 액정의 프리틸트가 형성된 투명전극을 제조할 수 있음.
패턴화된 고분자 구조체의 외주면에 물리적 이온 식각공정을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 다양한 형상으로 패턴화가 가능함. (격자패턴, 중첩패턴, 연속패턴 및 이들의 혼합 패턴)

사업성

본 기술에 따른 나노구조 패턴이 형성된 투명전극의 제조방법은 물리적 이온 식각을 통한 이온 봄바드먼트 현상을 적용하여 제조됨으로써 간단한 공정과 저렴한 비용으로 높은 다양한 종횡비와 균일성을 가지는 액정의 프리틸트가 형성된 투명전극을 제조할 수 있고, 투명전극으로 직접 액정을 배향시킴으로써 광 투과성이 높을 뿐만 아니라, 저항값 또한 낮아 액정 배향 특성 및 안정성을 향상시켜 제품 성능을 개선할 수 있을 뿐만 아니라, 본 기술에 따른 투명전극이 형성된 두 개의 기판의 배열로 액정의 배향을 원하는 방향으로 정밀하게 조절할 수 있어 다양한 디스플레이 소자에 응용할 수 있음.