기술소개

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특허권자 한국기계연구원 출원일자 2012.07.13
기술명칭 (A) 투명 전도성 반사방지막을 갖는 광전 소자
기술분야 전자 기술개발상태 TRL 2단계
지재권정보 (등록번호)10-1264367 특허명세서 1020120076844.pdf
기술거래유형 협의 후 결정 희망거래금액 협의 후 결정
응용분유 태양전지
관련자료 [SMK] 19. 2012-0076844_투명 전도성 반사방지막을 갖는 광전 소자.pdf
기술개요
본 기술은 투명 전도성 반사방지막을 갖는 광전소자에 관한 것으로, 얇은 에미터 상에 투명 전도성 산화
물과 금속 전극을 형성하여 효율성이 향상된 광전소자를 제조하는 방법임.
기술특징
기존의 SiNx (실리콘 나이트라이드) 태양전지는 SiNx (실리콘 나이트라이드)층을 이용하여, Anti-re
flection및Passivation 효과를 구현하였는데, SiNx 층은 상부금속 접합 (Ag metallization) 고온공정에서 쉽게 Shunting problem (Ag 가 실리콘층에 침입) 등의 문제를 가지고 있음.
본 기술은 TCO (Transparent conducting oxide, 투명산화전도층)을 이용하여, Ag가 실리콘층에 침입하는 것을 능동적으로 제어하고자 하는 것으로, TCO (여기서는 ITO)층이 Ag와 실리콘 사이의 버퍼층 역할을 하며, Ag grid를 Supporting 하는 투명전극으로 역할(빛에 대한 투과율이 높고, 전기전도성이 좋음)을 하는 효과를 가짐.
본 기술은 Metallization 에서 발생하는 에미터의 shunt 문제가 해결되며, 태양전지의 효율이 향상됨.
사업성
본 기술에 따르면 투명 전도성 반사방지막을 구비하여 전기 저항이 낮으면서도 효율이 우수한 광전 소자를 제공할 수 있음.
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