기술소개

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특허권자 한국기계연구원 출원일자 2005.03.24
기술명칭 저온용 플라즈마 발생 튜브 반응기
기술분야 기계 기술개발상태 TRL 4단계
지재권정보 (등록특허)10-0782876 특허명세서 1020050024705.pdf
기술거래유형 권리양도 희망거래금액 무상이전
응용분유 반도체 세정- 반도체, 디스플레이, 다양한 표면처리 등 저온 플라즈마 공정이 필요한 다양한 산업- 건식 식각 / -표면 세정 / -오염제거 / -표면처리
관련자료 저온용 플라즈마 발생 튜브 반응기(SMK).pdf
기술개요
본 기술은 유해가스 유동의 압력손실을 최소화 하고 유동의 흐름 방향에 영향을 받지 않으며 많은 처리 유량 대비 낮은 플라즈마 전력소모를 필요로 하는 가스처리 시스템에 적용 가능한 저 압력손실 및 저 에너지 밀도를 위한 저온용 플라즈마 발생 튜브 반응기임.
기술특징
세라믹 금속전극의 모서리 부분의 라운딩 처리로 전기장 집중 방지.
- 정전기 방지 및 이물질 부착방지로 플라즈마 누설 방지.
- 플라즈마 발생 튜브 반응기에 의한 유동압력 손실 감소.
사업성
본 기술에 의하면, 유전체 장벽 방전방식의 저온용 플라즈마 발생 튜브 반응기에 의한 유동압력 손실을 현저하게 감소시킬 수 있으며, 세라믹 재질과 금속전극이 공기층 없이 완전 밀착 접합되어 세라믹과 금속 전극사이의 방전 현상에 의한 유전체의 파괴나 금속전극의 산화 등 손상요인을 근본적으로 차단하며, 세라믹 전극봉을 일정 운전시간 간격으로 회전 시킬 수 있어 전체적인 반응기의 내구성 향상을 꾀할 수 있음.
또한, 처리가스의 유동방향에도 구애받지 않는 장점을 가지고 있어 가스 처리 응용분야에 유연하게 대처할 수 있음. 아울러 세라믹 전극봉이 이격되어 고정된 하나의 구조물을 저온 플라즈마 반응기로 구성하여 넓은 단면의 덕트 내에 원하는 플라즈마 전력을 투입함에 있어서 유동 압력손실이 수 mmAq 정도가 되도록 운전할 수 있도록 하였으며, 세라믹 전극봉을 전극봉 구조물에 부착할 때 베어링을 이용하고, 전극봉의 일측면에 기어를 설치하여 하나의 타이밍벨트 혹은 체인을 이용하여 용이하게 회전 가능하도록 함으로써, 지속적으로 전기적 방전에 노출되는 유전체 면을 세라믹 전극봉 전체 표면에 고르게 분산시킬 수 있어 유전체의 내구성을 극대화 할 수 있음.
또한, 전극봉의 금속면과 유전체면 사이에 공기층을 완전히 제거함으로써 세라믹 전극봉 내부에서 발생될 수 있는 전기 방전을 근본적으로 차단하여 유전체 및 금속전극의 내구성을 극대화 할 수 있음.
게다가, 세라믹 전극봉과 전극봉 고정구조물을 구성할 때, 가스가 흐르는 공간과 스트리머가 발생되는 영역을 달리하여 전극봉 고정 구조물의 가스흐름이 있는 내측 면 부분에서 스트리머가 발생되지 않도록 하여 스트리머와 유전체의 접촉에 의한 유전체의 절연파괴를 막는 효과가 있음.
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